Samsung Electronics ได้เริ่มผลิต V-NAND เจเนอเรชั่นที่ 9 อย่างเป็นทางการ ซึ่งชูจุดเด่นด้วยความจุขนาดใหญ่ถึง 1 เทราไบต์ (TB) ผลิตด้วยเทคโนโลยี 3D TLC NAND และสามารถถ่ายโอนข้อมูลได้เร็วแรงถึง 3.2 กิกะบิตต่อวินาที (GT/s) หน่วยความจำ V-NAND รุ่นใหม่นี้จะถูกนำไปใช้ในการผลิต SSD ประสิทธิภาพสูงและความจุขนาดใหญ่ ช่วยตอกย้ำความเป็นผู้นำของ Samsung ในตลาดจัดเก็บข้อมูล
แม้ว่า Samsung จะยังไม่เปิดเผยจำนวนชั้นของ NAND Flash ในเจเนอเรชั่นล่าสุด ซึ่งเป็นปัจจัยสำคัญในการเพิ่มความจุ แต่คาดการณ์ว่า V-NAND เจเนอเรชั่นที่ 9 น่าจะมีจำนวนชั้นมากกว่า 290 ชั้น (เทียบกับรุ่นก่อนหน้าที่ 236 ชั้น) ส่งผลให้ความหนาแน่นของข้อมูลเพิ่มขึ้นประมาณ 50%
ความก้าวหน้าเหล่านี้เกิดจากการย่อขนาดเซลล์หน่วยความจำ รวมถึงการผสานเทคโนโลยีที่ช่วยลดสัญญาณรบกวนและยืดอายุการใช้งาน นอกจากนี้ Samsung ยังสามารถกำจัดช่องว่างของแชนแนล (channel hole) ที่ไม่จำเป็น ช่วยลดพื้นที่ของเซลล์หน่วยความจำลง
อีกไฮไลท์สำคัญคือการเปิดเผยเทคนิค “double-stack structure” หรือการซ้อนชั้น NAND ซึ่งคาดว่า Samsung น่าจะใช้เทคนิคนี้มาตั้งแต่รุ่นที่ 8 แล้ว วิธีการนี้จำเป็นสำหรับการเพิ่มจำนวนชั้นของ NAND Flash เนื่องจากข้อจำกัดในการผลิตชั้นเดี่ยวเกิน 150-200 ชั้น
นอกจากนี้ V-NAND เจเนอเรชั่นที่ 9 ยังมาพร้อมกับเทคโนโลยี “channel hole etching” ขั้นสูง ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการผลิตด้วยการสร้างเส้นทางสำหรับอิเล็กตรอนภายในโครงสร้าง double-stack ได้พร้อมกัน
Samsung ยังได้แนะนำอินเตอร์เฟซ NAND Flash แบบใหม่ “Toggle DDR 5.1” ช่วยเพิ่มความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 33% เป็น 3.2 GT/s หรือประมาณ 400 เมกะไบต์ต่อวินาที (MB/s) ต่อหน่วย และลดการใช้พลังงานลง 10%
การเปิดตัว V-NAND TLC 1TB นี้ จะตามมาด้วยรุ่น QLC (quad-level cell) ที่มีกำหนดวางจำหน่ายปลายปีนี้
| Samsung TLC V- NAND Flash Memory | ||
| 9th Gen V-NAND | 8th Gen V-NAND | |
| Layers | 290? | 236 |
| Decks | 2 (x145) | 2 (x118) |
| Die Capacity | 1 Tbit | 1 Tbit |
| Die Size (mm2) | ?mm2 | ?mm2 |
| Density (Gbit/mm2) | ? | ? |
| I/O Speed | 3.2 GT/s (Toggle 5.1) | 2.4 GT/s (Toggle 5.0) |
| Planes | 6? | 4 |
| CuA / PuC | Yes | Yes |
ซองฮอย ฮอ หัวหน้าฝ่ายผลิตและเทคโนโลยีแฟลช หน่วยธุรกิจหน่วยความจำ Samsung Electronics กล่าวว่า “เรารู้สึกตื่นเต้นที่จะนำเสนอ V-NAND เจเนอเรชั่นที่ 9 รุ่นแรกของอุตสาหกรรม ซึ่งจะช่วยยกระดับประสิทธิภาพของอุปกรณ์ต่างๆ ในอนาคต Samsung มุ่งมั่นพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำ NAND Flash เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลาย V-NAND รุ่นล่าสุดนี้จะช่วยให้ Samsung ยังคงเป็นผู้นำในตลาด Solid-State Drive (SSD) ประสิทธิภาพสูง ความจุขนาดใหญ่ ตอบรับเทรนด์ปัญญาประดิษฐ์ (AI) ที่กำลังเติบโต”
การเปิดตัว V-NAND เจเนอเรชั่นที่ 9 ของ Samsung ถือเป็นก้าวสำคัญในวงการจัดเก็บข้อมูล ด้วยความจุที่มากขึ้น ประสิทธิภาพที่เร็วแรง ประหยัดพลังงาน และเทคโนโลยีใหม่ ช่วยให้ Samsung รักษาความเป็นผู้นำ
